Моя заявка (0)

IRFP360PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 14А, 280Вт, TO247AC

IRFP360PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 14А, 280Вт, TO247AC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017527927
Артикул
IRFP360PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
RoHS
Details
Brand
Vishay Semiconductors
Width
5.31mm
Тип
MOSFET
Цена по запросу
(от 350,94 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Chan 400V 23 Amp

Технические параметры

RoHSDetails
BrandVishay Semiconductors
Width5.31mm
ТипMOSFET
PackagingTube
Pin Count3
TechnologySi
Вес, г4.89
Времязадержки включения/выключения-79/67 нс
Длина15.87мм
СерияIRFP
Unit Weight1.340411 oz
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerVishay
Package TypeTO-247AC
Высота20.7мм
КорпусTO-247AC
Ширина5.31мм
Mounting TypeThrough Hole
Размеры15.87 x 5.31 x 20.7мм
Product CategoryMOSFET
Мощностьрассеиваемая(Pd)-280 Вт
ОписаниеMOSFET 400V N-CH HEXFET
УпаковкаTube
КатегорияМощный МОП-транзистор
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Тип каналаN
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-2 В
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity500
Вид монтажаThrough Hole
Время спада67 ns
Тип корпусаTO-247AC
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Особенности-
Номер каналаПоднятие
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationОдинарный
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation280 W
Typical Gate Charge @ Vgs210 nC @ 10 V
ПроизводительVishay
Температура, С-55…+150
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Способ монтажаThrough Hole
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-247AC-3
Maximum Drain Source Voltage400 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Число контактов3
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Qg - заряд затвора210 nC
Maximum Drain Source Resistance200 mΩ
Время нарастания79 ns
Тип проводимостиN
Maximum Continuous Drain Current23 A
Заряд затвора, нКл210
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Материал транзистораSI
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности280 W
Id - непрерывный ток утечки23 A
Крутизна характеристики, S21
Размер фабричной упаковки500
Количество элементов на ИС1
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Крутизна характеристики S,А/В13
Типичный заряд затвора при Vgs210 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds4500 пФ при 25 В
Rds Вкл - сопротивление сток-исток200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток400 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное рассеяние мощности280 W
Минимальная рабочая температура-55 °C
Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А23
Типичное время задержки включения18 нс
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток400 V
Максимальный непрерывный ток стока23 А
Типичное время задержки выключения100 нс
Транспортная упаковка: размер/кол-во67*47*38/1000
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Типичное время задержки при включении18 ns
Максимальное сопротивление сток-исток200 мОм
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.14 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт280
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм200
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В4

Техническая документация