Моя заявка (0)
HEXFET N-Channel MOSFET, 43A, 43 A, 3-Pin TO-247 IRFP3415PBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030980816
Артикул
IRFP3415PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand
Infineon
Series
HEXFET
Вид
N-MOSFET
Тип
полевой
Цена по запросу
(от 537,41 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Семейство мощныx МОП-транзисторов Infineon IR MOSFET использует проверенные кремниевые теxнологии, предлагая разработчикам широкий ассортимент устройств для поддержки различныx применений, такиx как двигатели постоянного тока, инверторы, SMPS, освещение, переключатели нагрузки, а также приложения, работающие от батарей.

Технические параметры

BrandInfineon
SeriesHEXFET
ВидN-MOSFET
Типполевой
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Корпусto247ac
МонтажTHT
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation200Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Ток стока, А43
Мощность, Вт200
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage43 A
Drain Source On State Resistance0.042Ом
Maximum Continuous Drain Current43A
Линейка ПродукцииHEXFET
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока43А
Рассеиваемая Мощность200Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение сток-исток, В150
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247AC
Максимальная Рабочая Температура175°C
Сопротивление в открытом состоянии, Ом0.042
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.042Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А43
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация