IRFP340PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 6,9А, 150Вт, TO247AC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017543318
- Артикул
- IRFP340PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.10.00.80
- Tab
- Tab
- Case
- TO247AC
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 243,49 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 400V N-CH HEXFET
Технические параметры
| HTS | 8541.10.00.80 |
| Tab | Tab |
| Case | TO247AC |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 8.5 |
| Длина | 15.87 mm |
| Серия | IRFP |
| Gate charge | 62nC |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 20.82 mm |
| Корпус | to247 |
| Ширина | 5.31 mm |
| Configuration | Single |
| Drain current | 6.9A |
| Package Width | 5.21(Max) |
| Package Height | 20.7(Max) |
| Package Length | 15.87(Max) |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-247AC |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Power dissipation | 150W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.55Ω |
| Drain-source voltage | 400V |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Typical Fall Time (ns) | 24 |
| Typical Rise Time (ns) | 27 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
| Qg - заряд затвора | 62 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 62(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 62(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 400 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 5.9 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 50 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 2 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 30(Max) |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 10(Max) |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 330 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 11 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1400@25V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 2500 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 550@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 44 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 130@25V |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |