IRFP3006PBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 60В, 195А, 375Вт, TO247AC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070141476
- Артикул
- IRFP3006PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 677 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор N-CH 60V 257A TO247
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 5.58 |
| Длина | 15.87 mm |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Высота | 20.7 mm |
| Ширина | 5.31 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-247AC |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 20 |
| Process Technology | HEXFET |
| Transistor Material | Silicon |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 189 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 189 |
| Typical Rise Time (ns) | 182 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 375000 |
| Qg - заряд затвора | 300 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 200 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 200 10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
| Время нарастания | 182 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 270 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 118 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 270 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 8970 50V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 2.5 10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 195 A |
| Размер фабричной упаковки | 400 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 118 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 280 S |