Моя заявка (0)
IRFP260MPBF, MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066271813
Артикул
IRFP260MPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
5.2mm
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 336,51 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IRFP260MPBF производства компании INFINEON представляет собой надежный компонент для силовой электроники. Монтаж данного элемента осуществляется через отверстия (THT), что обеспечивает простоту установки и надежное электрическое соединение. Транзистор способен коммутировать ток до 50 А и работать при напряжении сток-исток до 200 В, что позволяет использовать его в широком диапазоне применений, от силовых инверторов до источников питания. Мощность компонента достигает 300 Вт, что свидетельствует о его высокой производительности. Тип N-MOSFET гарантирует высокую скорость переключения и низкое сопротивление в открытом состоянии. Использование корпуса TO247AC обеспечивает отличный теплоотвод и механическую прочность. Приобретение IRFP260MPBF станет выгодным решением для разработчиков силовой электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 50 Напряжение сток-исток, В 200 Мощность, Вт 300 Корпус TO247AC

Технические параметры

Width5.2mm
SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247AC
Mounting TypeThrough Hole
RoHS CompliantYes
Transistor MaterialSi
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation300 W
Typical Gate Charge @ Vgs234 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage200 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance40 mΩ
Maximum Continuous Drain Current50 A

Техническая документация