IRFP260MPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 35А, 300Вт, TO247AC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017538984
- Артикул
- IRFP260MPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 5.2mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 6.16
Цена по запросу
(от 225 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| Width | 5.2mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6.16 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247AC |
| Mounting Type | Through Hole |
| RoHS Compliant | Yes |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 234 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |