Моя заявка (0)

IRFP250MPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 30А, 214Вт, TO247AD

IRFP250MPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 30А, 214Вт, TO247AD

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062064715
Артикул
IRFP250MPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Width
5.2mm
Series
HEXFETВ® ->
Цена по запросу
(от 305,53 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Width5.2mm
SeriesHEXFETВ® ->
PackageTube
FET TypeN-Channel
Pin Count3
Vgs (Max)В±20V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г6.2
RoHS StatusROHS3 Compliant
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247AC
REACH StatusREACH Unaffected
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250ВµA
Base Product NumberIRFP250 ->
Transistor MaterialSi
Operating Temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max)214W (Tc)
Supplier Device PackageTO-247AC
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation214 W
Typical Gate Charge @ Vgs123 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs123nC @ 10V
Maximum Drain Source Voltage200 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance75 mΩ
Maximum Continuous Drain Current30 A
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2159pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C30A (Tc)

Техническая документация