Моя заявка (0)

IRFP150MPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 42А, 160Вт, TO247AC

IRFP150MPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 42А, 160Вт, TO247AC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031094971
Артикул
IRFP150MPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вид
N-MOSFET
Тип
полевой
Вес, г
1
Длина
15.87 mm
Цена по запросу
(от 230 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC

Технические параметры

ВидN-MOSFET
Типполевой
Вес, г1
Длина15.87 mm
Высота20.7 mm
Корпусto247ac
МонтажTHT
Ширина5.31 mm
УпаковкаTube
СтруктураN-МОП
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Ток стока, А42
Мощность, Вт160
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon / IR
Упаковка / блокTO-247-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора110 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности160 W
Напряжение сток-исток, В100
Id - непрерывный ток утечки42 A
Размер фабричной упаковки400
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток36 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.8 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А42
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт160
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация