Моя заявка (0)

IRFP064NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 98А, 150Вт, TO247AC

IRFP064NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 98А, 150Вт, TO247AC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017538980
Артикул
IRFP064NPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
5.3mm
Series
HEXFET
Тип
MOSFET
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 144,05 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.

Технические параметры

Width5.3mm
SeriesHEXFET
ТипMOSFET
Pin Count3
Вес, г5.55
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247AC
Mounting TypeThrough Hole
Мощностьрассеиваемая(Pd)-200 Вт
УпаковкаTUBE, 25 шт.
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel
Емкость, пФ4000
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-4 В
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation200 W
Typical Gate Charge @ Vgs170 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage4V @ 250uA
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Способ монтажаThrough Hole
Maximum Drain Source Voltage55 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance8 mΩ
Тип проводимостиN
Maximum Continuous Drain Current110 A
Rds On - Drain-Source Resistance8mО© @ 59A,10V
Заряд затвора, нКл170
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)200W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage55V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C110A
Диапазон рабочих температур-55…+175 °С
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А110
Транспортная упаковка: размер/кол-во60*50*50/1000
MSL(Уровень чувствительности к влажности)1
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм8

Техническая документация