IRFL9110TRPBF-BE3, MOSFETs SOT223 100V 1.1A P-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069210274
- Артикул
- IRFL9110TRPBF-BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Корпус | SOT223 |
| Configuration | Single Dual Drain |
| Package Width | 3.7(Max) |
| Package Length | 6.7(Max) |
| EDA / CAD Models | IRFL9110TRPBF-BE3 by Ultra Librarian |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Maximum IDSS (uA) | 100 |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 17 |
| Typical Rise Time (ns) | 27 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 8.7(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.7(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 15 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 200@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 1200@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.7V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 385mΩ@1.1A, 10V |