Моя заявка (0)
IRFL9110TRPBF-BE3,MOSFET, P-CH, 100V, 1.1A, SOT-223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8013238066
Артикул
IRFL9110TRPBF-BE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Tab
Tab
PPAP
No
Mounting
Surface Mount
ECCN (US)
EAR99
Цена по запросу
(от 440 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
Pin Count4
AutomotiveNo
Вес, г0.343
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
КорпусSOT-223
ConfigurationSingle Dual Drain
Package Width3.7(Max)
Package Length6.7(Max)
EDA / CAD ModelsIRFL9110TRPBF-BE3 by Ultra Librarian
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-223
Maximum IDSS (uA)100
СтруктураMOSFET
Standard Package NameSOT
Typical Fall Time (ns)17
Typical Rise Time (ns)27
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)8.7(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)8.7(Max)@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)10
Maximum Drain Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)15
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)1.1
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)200@25V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)1200@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация