IRFL9014TRPBF-BE3, MOSFETs SOT223 P-CH 60V 1.8A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026625338
- Артикул
- IRFL9014TRPBF-BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 31 ns
- Rise Time:
- 63 ns
- Вес, г
- 0.2
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, P-CH, 60 В, 1,8 А, SOT-223; Тип канала: P-канал; Напряжение стока-истока Vds: 60 В; Постоянный ток стока Id:1,8 А; Крепление транзистора: Поверxностное крепление; Тестовое напряжение Rds(включено): 10 В; Вxодное напряжение затвора 80AH8947
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 31 ns |
| Rise Time: | 63 ns |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT223 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IRFL9014TRPBF |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 500 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 950mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 150mΩ@1.8A, 4.5V |