Моя заявка (0)

IRFL9014TRPBF, Транзистор P-МОП, полевой, 60В 1,8A 3,1Вт 0,5Ом SOT223

IRFL9014TRPBF, Транзистор P-МОП, полевой, 60В 1,8A 3,1Вт 0,5Ом SOT223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024644435
Артикул
IRFL9014TRPBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
3.7mm
Тип
MOSFET
Pin Count
3
Вес, г
0.22
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-МОП, полевой, 60В 1,8A 3,1Вт 0,5Ом SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Width3.7mm
ТипMOSFET
Pin Count3
Вес, г0.22
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-223
КорпусSOT-223
Mounting TypeSurface Mount
Мощностьрассеиваемая(Pd)-2 Вт
ОписаниеP-Channel 60 V 1.8A(Tc)2W(Ta), 3.1W(Tc)Surface Mount SOT-223
УпаковкаREEL, 2500 шт.
СтруктураP-МОП
Transistor MaterialSi
Емкость, пФ270
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-4 В
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation2 W
Typical Gate Charge @ Vgs12 nC @ 10 V
Температура, С-55…+150
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Способ монтажаповерхностный(SMT)
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance500 mΩ
Тип проводимостиP
Maximum Continuous Drain Current1.8 A
Заряд затвора, нКл12
Крутизна характеристики, S1.3
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Крутизна характеристики S,А/В1.3
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А1.8
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В-60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм500
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В-4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0, 5Ом

Техническая документация