IRFL4105TRPBF, МОП-транзистор, мощность, Н-Ч, ВДСС 55В, RDS(ВКЛ)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023130104
- Артикул
- IRFL4105TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Width
- 3.7mm
- Series
- HEXFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Полевой транзистор IRFL4105TRPBF от известного производителя электронных компонентов INFINEON представляет собой высококачественный компонент для современной электроники. С монтажом типа SMD, этот N-MOSFET транзистор обеспечивает ток стока до 3,7 А при напряжении сток-исток 55 В, что позволяет использовать его в различных электронных схемах. Мощность устройства составляет 2,1 Вт, а благодаря компактному корпусу SOT223, IRFL4105TRPBF легко интегрируется в печатные платы с ограниченным пространством. Продукт подходит для широкого спектра применений, включая, но не ограничиваясь, источниками питания, управлением двигателями и защитой цепей. Выбирая IRFL4105TRPBF для вашего проекта, вы получаете надежность и производительность от INFINEON. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 3.7 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 2.1 Корпус SOT223
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Width | 3.7mm |
| Series | HEXFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.21 |
| Длина | 6.5 mm |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Высота | 1.6 mm |
| Ширина | 3.5 mm |
| Configuration | Single Dual Drain |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | МОП-транзистор |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Fall Time (ns) | 12 |
| Typical Rise Time (ns) | 12 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2100 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 23 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 23@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 45 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7.1 |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.2 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 660@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 45@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
| Другие названия товара № | SP001551996 |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.7 A |
| Крутизна характеристики, S | 3.8 |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 45 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |