Моя заявка (0)
IRFL210TRPBF-BE3, MOSFETs SOT223 200V .96A N-CH MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025443459
Артикул
IRFL210TRPBF-BE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
8.9 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
17 ns
Цена по запросу
(от 70 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:8.9 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:17 ns
Вес, г0.2
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT223
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:SOT-223-4
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IRFL210TRPBF
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:8.2 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:14 ns
Id - Continuous Drain Current:960 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе-15 V, +15 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А96
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)13mΩ

Техническая документация