IRFL110TRPBF, Транзисторы и сборки MOSFET TO261
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024648538
- Артикул
- IRFL110TRPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 3.7mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- IRFL
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 58 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 3.1Вт
Технические параметры
| Width | 3.7mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | IRFL |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 9.4 ns |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 0.32 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-223 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IRFL110TRPBF-BE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 540 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 540 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Крутизна характеристики, S | 1.1 |
| Крутизна характеристики S,А/В | 1.1 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 540 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2Ω@470mA, 10V |