IRFL014NTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 1.9А [SOT-223]
![IRFL014NTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 1.9А [SOT-223]](https://static.epl-electro.ru/lib/288/DOC005288116.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000617725
- Артикул
- IRFL014NTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.39
- Корпус
- SOT-223
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- Enhancement Mode
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFL014NTRPBF производства INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа на поверхность печатной платы (SMD). Данный полупроводниковый элемент обладает током стока 1,9 А и напряжением сток-исток 55 В, что позволяет использовать его в различных электронных устройствах, требующих эффективного управления мощностью. Мощностные характеристики транзистора составляют 2,1 Вт. Устройство помещено в надежный корпус SOT223, который обеспечивает удобство в интеграции с электронными схемами. Применение транзистора IRFL014NTRPBF гарантирует долговечность и стабильность в работе электронных устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 1.9 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 2.1 Корпус SOT223
Технические параметры
| Вес, г | 0.39 |
| Корпус | SOT-223 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Крутизна характеристики, S | 1.6 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.16 Ом/1.9А, 10В |