IRFL014NTRPBF, MOSFETs MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006253129
- Артикул
- IRFL014NTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 1
- Корпус
- SOT-223
- Мощность
- рассеиваемая(Pd)-2.1 Вт
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFL014NTRPBF производства INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа на поверхность печатной платы (SMD). Данный полупроводниковый элемент обладает током стока 1,9 А и напряжением сток-исток 55 В, что позволяет использовать его в различных электронных устройствах, требующих эффективного управления мощностью. Мощностные характеристики транзистора составляют 2,1 Вт. Устройство помещено в надежный корпус SOT223, который обеспечивает удобство в интеграции с электронными схемами. Применение транзистора IRFL014NTRPBF гарантирует долговечность и стабильность в работе электронных устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 1.9 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 2.1 Корпус SOT223
Технические параметры
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 1 |
| Корпус | SOT-223 |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-2.1 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC |
| Упаковка | REEL, 2500 шт. |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Тип проводимости | N |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 160mО© @ 1.9A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 1.9A |
| Крутизна характеристики, S | 1.6 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 1.9 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 59*46*46/2500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 160мОм |