IRFIZ44NPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 55В, 28А, 38Вт, TO220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008513665
- Артикул
- IRFIZ44NPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 2.15
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFIZ44NPBF производства INFINEON обладает высокими характеристиками для эффективного использования в электронных схемах. Монтирование через отверстия (THT) обеспечивает простоту установки. С током стока 28 А и напряжением сток-исток 55 В, этот компонент способен управлять значительными нагрузками. Мощность устройства составляет 38 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,024 Ом, гарантирует высокую эффективность. Тип N-MOSFET указывает на N-канальный механизм работы транзистора. Корпус TO220 является стандартным и удобным для многих применений. Приобретите IRFIZ44NPBF для надежной работы ваших электронных устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 28 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 38 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.024 Корпус TO220
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2.15 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| RoHS Compliant | Yes |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Part # Aliases: | IRFIZ44NPBF SP001572634 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 65 nC |
| Структура | N-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 38 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 28 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Крутизна характеристики, S | 17 |
| Пороговое напряжение на затворе | -2…-4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |