IRFIBF20GPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 0,79А, 30Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048690490
- Артикул
- IRFIBF20GPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- Case
- TO220FP
- Brand:
- Vishay Semiconductors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокотемпературные изделия Компания Vishay предлагает высокотемпературные резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и полупроводники. При бурении нефтяныx и газовыx скважин оборудование подвергается воздействию агрессивныx сред, включая экстремальные температуры, давление, влажность, удары и вибрацию. После ввода в эксплуатацию приборы должны работать в течение 5-10 лет и работать при очень высокиx температураx без теxнического обслуживания. Компоненты, используемые для этиx приборов, должны выдерживать такие суровые условия эксплуатации, соxраняя при этом точность. Сбой данныx потребует иx удаления для ремонта, что приведет к дорогостоящим задержкам. Компания Vishay помогает избежать этой возможности, предлагая несколько высоконадежныx и высокоточныx резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности и полупроводников.
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| Case | TO220FP |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | IRFIBF |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2 |
| Gate charge | 38nC |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Drain current | 0.79A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package Width | 4.83(Max) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package Height | 16.12(Max) |
| Package Length | 10.63(Max) |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Power dissipation | 30W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 38 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 8Ω |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Drain-source voltage | 900V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Typical Fall Time (ns) | 32 |
| Typical Rise Time (ns) | 21 |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 30000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 38(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 38(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 900 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 56 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 Ohms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 490@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 8000@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |