Моя заявка (0)

IRFIBC40GPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 2,2А, 40Вт, TO220AB

IRFIBC40GPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 2,2А, 40Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8032842468
Артикул
IRFIBC40GPBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вид
N-MOSFET
Тип
полевой
Вес, г
2.54
Длина
10.41 mm
Цена по запросу
(от 450 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 600V N-CH HEXFET

Технические параметры

ВидN-MOSFET
Типполевой
Вес, г2.54
Длина10.41 mm
СерияIRFIBC
Высота15.49 mm
КорпусTO220AB
МонтажTHT
Ширина4.7 mm
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Ток стока, А2.1
Мощность, Вт40
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора60 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности40 W
Напряжение сток-исток, В600
Id - непрерывный ток утечки3.5 A
Крутизна характеристики, S4.9
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Сопротивление в открытом состоянии, Ом1.2
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация