IRFIB7N50APBF, MOSFETs TO220 500V 6.6A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005524569
- Артикул
- IRFIB7N50APBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 346,96 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 6,6А, Idm: 44А, 60Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 6 |
| Длина | 10.41 mm |
| Серия | IRFIB |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| Высота | 15.49 mm |
| Корпус | to220 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Typical Fall Time (ns) | 28 |
| Typical Rise Time (ns) | 35 |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 60 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 60000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 52(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 52(Max)10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 520 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.6 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 32 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.6 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1423 25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 520 10V |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Крутизна характеристики S,А/В | 6.1 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 520 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |