Моя заявка (0)

IRFIB6N60APBF, Транзистор N-МОП, полевой, 600 В 5.5 А 60 Вт TO-220-3

IRFIB6N60APBF, Транзистор N-МОП, полевой, 600 В 5.5 А 60 Вт TO-220-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070199041
Артикул
IRFIB6N60APBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
-
FET Type
N-Channel
Packaging
Tube
Vgs (Max)
В±30V
Цена по запросу
(от 384,22 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Chan 600V 5.5 Amp

Технические параметры

Series-
FET TypeN-Channel
PackagingTube
Vgs (Max)В±30V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г2
Длина10.41 mm
СерияIRFIB
FET Feature-
Part StatusActive
ManufacturerVishay Siliconix
Высота15.49 mm
Ширина4.7 mm
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
УпаковкаTube
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250ВµA
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Вид монтажаThrough Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs750mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max)60W(Tc)
Supplier Device PackageTO-220-3
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Категория продуктаМОП-транзистор
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C5.5A(Tc)
Размер фабричной упаковки50

Техническая документация