Моя заявка (0)

IRFI840GLCPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 2,9А, 40Вт, TO220FP

IRFI840GLCPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 2,9А, 40Вт, TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003242817
Артикул
IRFI840GLCPBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Tab
Tab
PPAP
No
Mounting
Through Hole
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 410,72 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 2,9А, 40Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
MountingThrough Hole
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г2.12
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-220F
ConfigurationSingle
Package Width4.83(Max)
Package Length10.63(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220FP
Maximum IDSS (uA)25
СтруктураMOSFET
Standard Package NameTO
Typical Fall Time (ns)19
Typical Rise Time (ns)25
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)40000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)39(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)39(Max)@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)12
Maximum Drain Source Voltage (V)500
Typical Turn-Off Delay Time (ns)27
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)4.5
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1100@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)850@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация