Моя заявка (0)

IRFI830GPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 2А, 35Вт, TO220FP

IRFI830GPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 2А, 35Вт, TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022462954
Артикул
IRFI830GPBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вид
MOSFET
Тип
полевой
Вес, г
4.9
Серия
IRFI
Цена по запросу
(от 250 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 2А, 35Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

ВидMOSFET
Типполевой
Вес, г4.9
СерияIRFI
КорпусTO-220F
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора38 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности35 W
Id - непрерывный ток утечки3.1 A
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация