IRFI740GPBF, Транзистор полевой,МОП n-канальный, 400В, 5,4А, 40Вт, TO220F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070102566
- Артикул
- IRFI740GPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Through Hole
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFI740GPBF от производителя VISHAY является надежным компонентом для использования в силовой электронике. Монтаж через отверстия (THT) облегчает интеграцию в печатные платы. С током стока 5,4 А и напряжением сток-исток 400 В, этот N-MOSFET транзистор отличается высокой эффективностью. Мощность устройства составляет 40 Вт, что делает его подходящим для широкого спектра применений. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,55 Ом свидетельствует о низких потерях мощности. Корпус TO220F обеспечивает хороший теплоотвод и устойчивость к механическим воздействиям. Надежность и долговечность делают IRFI740GPBF важным элементом в схемах управления и коммутации. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 5.4 Напряжение сток-исток, В 400 Мощность, Вт 40 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.55 Корпус TO220F
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 2.1 |
| Серия | IRFI |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| RoHS Compliant | Yes |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Упаковка | Tube |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 24 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 24 |
| Typical Rise Time (ns) | 25 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay/Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 40000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 66 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 66(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 66(Max)10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 550 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Время нарастания | 25 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.4 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 54 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1370 25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 550 10V |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.4 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 54 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |