Моя заявка (0)
MOSFET IRFI644GPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014509505
Артикул
IRFI644GPBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Tab
Tab
PPAP
No
Mounting
Through Hole
ECCN (US)
EAR99
Цена по запросу
(от 450,63 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 250V N-CH HEXFET

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
СерияIRFI
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220FP
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Standard Package NameTO-220
Вид монтажаThrough Hole
Typical Fall Time (ns)24
Typical Rise Time (ns)24
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Maximum Power Dissipation (mW)40000
Qg - заряд затвора68 nC
Typical Gate Charge @ 10V (nC)68(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)68(Max)@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)11
Maximum Drain Source Voltage (V)250
Typical Turn-Off Delay Time (ns)53
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Maximum Continuous Drain Current (A)7.9
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1300@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)280@10V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности40 W
Id - непрерывный ток утечки7.9 A
Крутизна характеристики, S6
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток280 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток250 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация