IRFI640GPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9,8А; Idm: 39А; 40Вт; TO220FP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010479726
- Артикул
- IRFI640GPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Military
- No
Цена по запросу
(от 395,43 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 2.1 |
| Серия | IRFI |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| Корпус | TO-220F |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Width | 4.83(Max) |
| Package Height | 16.12(Max) |
| Package Length | 10.63(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 36 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 36 |
| Typical Rise Time (ns) | 51 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 40000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 70 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 70(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 70(Max)@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 180 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Время нарастания | 51 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.8 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 45 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9.8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 180@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 9.8 A |
| Крутизна характеристики, S | 3.2 |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Крутизна характеристики S,А/В | 5.2 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.8 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.2 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 180 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |