IRFI540NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 18А, 42Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008513559
- Артикул
- IRFI540NPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 62.7 nC
- V(DS)
- 100 V
- Series
- HEXFET
- Package
- TO-220FP
Цена по запросу
(от 300 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства для поверxностного монтажа и свинцовые корпуса.
Технические параметры
| Q(g) | 62.7 nC |
| V(DS) | 100 V |
| Series | HEXFET |
| Package | TO-220FP |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Вес, г | 2.11 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | to220 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 52 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 18 A |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 54 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 94 nC @ 10 V |
| Температура, С | -55...+175 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 52 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Крутизна характеристики, S | 9 |
| Крутизна характеристики S,А/В | 11 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 52 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |