HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 12 A, 100 V, 3-Pin TO-220 Full-Pak IRFI530NPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034105936
- Артикул
- IRFI530NPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Длина
- 10 mm
- Высота
- 15.65 mm
- Корпус
- TO-220
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор MOSFT 100V 11A 110mOhm 29.3nC
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| Высота | 15.65 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.4 mm |
| RoHS Compliant | Yes |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 29.3 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 33 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |