IRFI4410ZPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002243944
- Артикул
- IRFI4410ZPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Width
- 4.83mm
- Series
- HEXFET
Цена по запросу
(от 348 ₽)
Минимальный заказ: 53 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный МОП-транзистор N-CH 100V 43A с 3-контактным разъемом (3+ вкладки) TO-220AB Full-Pak Tube
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Width | 4.83mm |
| Series | HEXFET |
| EU RoHS | Compliant |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Automotive | No |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | - |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | TO-220 FP |
| Корпус | TO-220AB |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB Full-Pak |
| Power Dissipation | 47Вт |
| Process Technology | HEXFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 26A, 10V |
| Typical Fall Time (ns) | 30 |
| Typical Rise Time (ns) | 27 |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 47W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB Full-Pak |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 47 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 47000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 81 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 81 10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 9.3 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
| Drain Source On State Resistance | 0.0079Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 43 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 43 |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4910pF @ 50V |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 43 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 4910 50V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 9.3 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 43А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 43A(Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 47Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 2-1 год |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0079Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 43 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 47 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |