IRFI3205PBF, Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002238643
- Артикул
- IRFI3205PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 170 nC
- V(DS)
- 55 V
- Width
- 4.83mm
- P(tot)
- 63 W
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFI3205PBF от известного производителя INFINEON - это надежный компонент для силовой электроники. С монтажом THT, он идеально подойдет для печатных плат, где требуется прямое подключение к медным дорожкам. Благодаря току стока в 56 А и напряжению сток-исток в 55 В, этот N-MOSFET способен управлять высокими нагрузками, сохраняя при этом высокую эффективность благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии всего 0,008 Ом. Мощность устройства составляет 48 Вт, что делает его подходящим для широкого спектра применений. Корпус TO220 обеспечивает удобный монтаж и достаточное теплоотведение. Приобретая IRFI3205PBF, вы получаете высококачественный компонент для эффективного управления электронными схемами. Номер для поиска: IRFI3205PBF. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 56 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 48 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.008 Корпус TO220
Технические параметры
| Q(g) | 170 nC |
| V(DS) | 55 V |
| Width | 4.83mm |
| P(tot) | 63 W |
| RDS-on | 8@10V mOhm |
| Series | HEXFET |
| Package | TO-220FP |
| R(thJC) | 2.4 K/W |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | HEXFET |
| Вес, г | 3.5 |
| Lead Finish | Matte Sn annealedIMatte Sn |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 8 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 64 A |
| Typical Fall Time | 70 ns |
| Typical Rise Time | 100 ns |
| Структура | N-Channel |
| Max Processing Temp | 260I300 |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55 to 175 °C |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 63 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 43 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 64 A |
| Крутизна характеристики, S | 42 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 64 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |