Моя заявка (0)

IRFI1310NPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 22А, 45Вт, TO220

IRFI1310NPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 22А, 45Вт, TO220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070186216
Артикул
IRFI1310NPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
120 nC
V(DS)
100 V
P(tot)
56 W
Series
HEXFETВ®
Цена по запросу
(от 183,43 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор MOSFT 100V 22A 36mOhm 80nC

Технические параметры

Q(g)120 nC
V(DS)100 V
P(tot)56 W
SeriesHEXFETВ®
PackageTO-220FP
R(thJC)2.7 K/W
FET TypeN-Channel
MountingTHT
PackagingTube
Vgs (Max)В±20V
AutomotiveNO
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г2.14
Длина10 mm
FET Feature-
Logic levelNO
Part StatusActive
RoHS StatusRoHS-conform
ManufacturerInfineon Technologies
Высота15.65 mm
Ширина4.4 mm
ConfigurationN-CH
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V36 mOhm
Fast bodydiodeNO
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
I(D)at Tc=25°C24 A
УпаковкаTube
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250ВµA
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Вид монтажаThrough Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs36 mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max)56W(Tc)
Supplier Device PackageTO-220AB Full-Pak
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120nC @ 10V
Тип транзистора1 N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Qg - заряд затвора80 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1900pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C24A(Tc)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности45 W
Другие названия товара №SP001566772
Id - непрерывный ток утечки22 A
Размер фабричной упаковки2000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток36 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V

Техническая документация