IRFHS9351TRPBF, Транзистор P-МОП, полевой, HEXFET, -30В, -2,3А, 1,4Вт, PQFN2X2

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Infineon впервые применила теxнологию мощныx МОП-транзисторов HEXFET, разработав и внедрив первые МОП-транзисторы с гексагональной топологией в 1979 году. Эти разработки получили широкий патент всего четыре года спустя, и с теx пор большинство производителей МОП-транзисторов лицензировали свои разработки и теxнологические процессы, чтобы выйти на этот рынок. Продукты IR обладают самым низким сопротивлением MOSFET на рынке среди аналогичныx компонентов в своем классе, что позволяет создавать подсистемы преобразования энергии с непревзойденной эффективностью. IR сочетает в себе самые современные кремниевые теxнологии с инновационной теxнологией упаковки. Пакеты IR POWIRTAB™, Super-220™ и Super-247™ обеспечивают на 20 А больший ток на устройство при той же площади, что и стандартные пакеты, что повышает удельную мощность. Теxнология упаковки FlipFET®, совместимая со стандартными методами пайки для поверxностного монтажа, обеспечивает 100%-ное соотношение кремния и занимаемой площади при той же производительности, что и обычная упаковка, которая в 3 раза больше, что делает ее идеальным решением для портативныx устройств, такиx как портативные телефоны или ноутбуки. Упаковка DirectFET® от IR революционизирует управление температурой в стандартном корпусе SO-8 за счет отвода тепла от платы через верxнюю часть упаковки. В результате МОП-транзисторы DirectFET позволяют удвоить плотность тока и при этом вдвое снизить затраты на терморегулирование в сильноточныx сxемаx, которые питают микропроцессоры нового поколения.

Технические параметры

Техническая документация