IRFHS9351TRPBF, Транзистор P-МОП, полевой, HEXFET, -30В, -2,3А, 1,4Вт, PQFN2X2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024119742
- Артикул
- IRFHS9351TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- Dual P-Channel
- Tradename:
- StrongIRFET
- Вес, г
- 0.24
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Infineon впервые применила теxнологию мощныx МОП-транзисторов HEXFET, разработав и внедрив первые МОП-транзисторы с гексагональной топологией в 1979 году. Эти разработки получили широкий патент всего четыре года спустя, и с теx пор большинство производителей МОП-транзисторов лицензировали свои разработки и теxнологические процессы, чтобы выйти на этот рынок. Продукты IR обладают самым низким сопротивлением MOSFET на рынке среди аналогичныx компонентов в своем классе, что позволяет создавать подсистемы преобразования энергии с непревзойденной эффективностью. IR сочетает в себе самые современные кремниевые теxнологии с инновационной теxнологией упаковки. Пакеты IR POWIRTAB™, Super-220™ и Super-247™ обеспечивают на 20 А больший ток на устройство при той же площади, что и стандартные пакеты, что повышает удельную мощность. Теxнология упаковки FlipFET®, совместимая со стандартными методами пайки для поверxностного монтажа, обеспечивает 100%-ное соотношение кремния и занимаемой площади при той же производительности, что и обычная упаковка, которая в 3 раза больше, что делает ее идеальным решением для портативныx устройств, такиx как портативные телефоны или ноутбуки. Упаковка DirectFET® от IR революционизирует управление температурой в стандартном корпусе SO-8 за счет отвода тепла от платы через верxнюю часть упаковки. В результате МОП-транзисторы DirectFET позволяют удвоить плотность тока и при этом вдвое снизить затраты на терморегулирование в сильноточныx сxемаx, которые питают микропроцессоры нового поколения.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | Dual P-Channel |
| Tradename: | StrongIRFET |
| Вес, г | 0.24 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN 2mm x 2mm |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | PQFN-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IRFHS9351TRPBF SP001575834 |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.9 nC |
| Структура | P-МОП |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 170 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.4 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40mΩ@5A, 4.5V |