IRFHS9301TRPBF, Транзистор P-МОП, полевой, HEXFET, -30В, -6А, 2,1Вт, PQFN2X2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024119741
- Артикул
- IRFHS9301TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 2.1mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 0.06
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFHS9301TRPBF производства компании INFINEON – это высококачественный компонент для монтажа на поверхность (SMD), который обеспечивает превосходную производительность в различных электронных применениях. С током стока 6 А и напряжением сток-исток 30 В, этот N-MOSFET транзистор является надежным выбором для управления электрическими нагрузками. Мощность устройства составляет 2,1 Вт, что делает его подходящим для широкого спектра применений. Компактная конструкция в корпусе PQFN2X2 гарантирует легкую интеграцию в печатные платы. Модель IRFHS9301TRPBF отличается устойчивостью и долговечностью, предоставляя разработчикам надежное решение для их проектов. Используя этот транзистор IRFHS9301TRPBF, вы можете ожидать стабильной работы и долгосрочной надежности ваших электронных схем. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 6 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 2.1 Корпус PQFN2X2
Технические параметры
| Width | 2.1mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 0.06 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DFN2020 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-МОП |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 65 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2.1 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40mΩ@5A, 4.5V |