HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 8.8 A, 30 V, 8-Pin DFN2020 IRFHS8342TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014562196
- Артикул
- IRFHS8342TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Тип
- Контроллер
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.4
Цена по запросу
(от 46 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon IRFHS8342 - это мощное семейство МОП-транзисторов IRFET, оптимизированное для работы с низким RDS (on) и высоким током.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Тип | Контроллер |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.4 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN 2x2 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 20V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.016 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.8 A |
| Совместимый бренд | Универсальный |
| Крутизна характеристики, S | 18 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |