HEXFET N-Channel MOSFET, 8.5 A, 25 V DFN2020 IRFHS8242TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031012619
- Артикул
- IRFHS8242TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.02
- Длина
- 2 mm
- Channel Type
- N
- Package Type
- DFN2020
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 25V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 4.3nC
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 2 mm |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN2020 |
| Высота | 0.9 mm |
| Ширина | 2 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5.3 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single Quint Drain Dual Source |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PQFN-6 |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 4.3 nC |
| Время нарастания | 19 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.5 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
| Другие названия товара № | SP001554858 |
| Id - непрерывный ток утечки | 9.9 A |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 5.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.5 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 19 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |