IRFHM8363TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 11А 2.7Вт 0.0163Ом [PQFN-8_3.3x3.3.] [EOL]
![IRFHM8363TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 11А 2.7Вт 0.0163Ом [PQFN-8_3.3x3.3.] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/994/DOC003994466.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000139698
- Артикул
- IRFHM8363TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.43
- Корпус
- PQFN-8(3.3X3.3)
- Структура
- 2 N-Channel
- Особенности
- Enhancement Mode
Цена по запросу
(от 146 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторная матрица MOSFET Dual N-CH 30V 10A с 8-контактным разъемом PQFN T/R - Лента и катушка
Технические параметры
| Вес, г | 0.43 |
| Корпус | PQFN-8(3.3X3.3) |
| Структура | 2 N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Крутизна характеристики, S | 20 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.35 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0149 Ом/10А, 10В |