Моя заявка (0)
IRFHM8329TRPBF, Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002238903
Артикул
IRFHM8329TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
PPAP
No
Type
N Channel
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 71 ₽)
Минимальный заказ: 1316 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторный MOSFET N-CH 30V 16A 8-контактный PQFN EP T/R

Технические параметры

PPAPNo
TypeN Channel
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г0.43
PCB changed8
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width3.2(Max)
Package Length3.2(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePQFN EP
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyHEXFET
СтруктураN-Channel
Standard Package NameQFN
Power Dissipation (Pd)2.6W
Typical Fall Time (ns)14
Typical Rise Time (ns)74
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Continuous Drain Current (Id)16A
Maximum Power Dissipation (mW)2600
Typical Gate Charge @ 10V (nC)26
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)13@4.5V|26@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)14
Maximum Drain-Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)14
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.2
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)16
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1710@10V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)6.1@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Крутизна характеристики, S56
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А16
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация