Моя заявка (0)

HEXFET N-Channel MOSFET, 44 A, 30 V, 8-Pin PQFN 5 x 6 IRFH8334TRPBF

HEXFET N-Channel MOSFET, 44 A, 30 V, 8-Pin PQFN 5 x 6 IRFH8334TRPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014556206
Артикул
IRFH8334TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
8
Вес, г
1
Длина
6 mm
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 94 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Одноканальный МОП-транзистор Infineon 30V HEXFET в корпусе PQFN размером 5 x 6 мм. Оптимизирован для обеспечения максимально широкой доступности у партнеров-дистрибьюторов.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Длина6 mm
Channel TypeN
Package TypePQFN 5x6
Высота0.83 mm
Ширина5 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокPQFN-8
Maximum Drain Source Voltage30 V
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage2.35V
Qg - заряд затвора7.1 nC
Maximum Drain Source Resistance13.5 mO
Maximum Continuous Drain Current44 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности30 W
Другие названия товара №SP001577860
Id - непрерывный ток утечки25 A
Размер фабричной упаковки4000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток13.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А44
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0072 Ом

Техническая документация