Моя заявка (0)

IRFH8318TRPBF, 30V 27A 3.6W 3.1mOhm@10V,20A 2.35V@50uA N Channel PQFN-8(4.9x5.8) MOSFETs

IRFH8318TRPBF, 30V 27A 3.6W 3.1mOhm@10V,20A 2.35V@50uA N Channel PQFN-8(4.9x5.8) MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070057546
Артикул
IRFH8318TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.2
Длина
6 mm
Channel Type
N
Package Type
PQFN 5x6
Цена по запросу
(от 88,04 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC

Технические параметры

Вес, г0.2
Длина6 mm
Channel TypeN
Package TypePQFN 5x6
Высота0.83 mm
Ширина5 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor PolarityN Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада12 ns
Power Dissipation (Pd)3.6W
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Vgs - Gate-Source Voltage2.35V @ 50uA
Торговая маркаInfineon / IR
Упаковка / блокPQFN-8
Maximum Drain Source Voltage30 V
Continuous Drain Current (Id)27A
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора41 nC
Время нарастания33 ns
Maximum Continuous Drain Current120 A
Rds On - Drain-Source Resistance3.1mО© @ 20A,10V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)3.6W
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C27A
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности3.6 W
Другие названия товара №SP001572710
Id - непрерывный ток утечки120 A
Размер фабричной упаковки4000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток4.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения18 ns
Типичное время задержки при включении15 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.8 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.81 S

Техническая документация