Моя заявка (0)

IRFH8311TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 32А, 3,6Вт, PQFN5X6

IRFH8311TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 32А, 3,6Вт, PQFN5X6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070183641
Артикул
IRFH8311TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
HEXFET
Тип
HEXFET Power MOSFET
Pin Count
4
Вес, г
0.13
Цена по запросу
(от 116,65 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор, 30V, 50A, 2 33nC Qg, PQFN5x6

Технические параметры

SeriesHEXFET
ТипHEXFET Power MOSFET
Pin Count4
Вес, г0.13
Длина6 mm
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePQFN 5x6
Высота0.83 mm
Ширина5 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSilicon
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада12 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle Quad Drain Triple Source
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon / IR
Упаковка / блокPQFN-8
Maximum Drain Source Voltage80 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage2.35V
Qg - заряд затвора30 nC
Maximum Drain Source Resistance0.0021 Ω
Время нарастания26 ns
Maximum Continuous Drain Current30 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности3.6 W
Другие названия товара №SP001564136
Id - непрерывный ток утечки80 A
Размер фабричной упаковки4000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения21 ns
Типичное время задержки при включении21 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.35 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.83 S

Техническая документация