HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 4-Pin PQFN 5 x 6 IRFH8311TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564541
- Артикул
- IRFH8311TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Тип
- HEXFET Power MOSFET
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 248,99 ₽)
Минимальный заказ: 15 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HEXFET®, также известные как MOSFET-транзисторы, разработанные компанией Infineon, расшифровываются как "Металло-оксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN 5x6 |
| Высота | 0.83 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 12 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | PQFN-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.35V |
| Qg - заряд затвора | 30 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0021 Ω |
| Время нарастания | 26 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3.6 W |
| Другие названия товара № | SP001564136 |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Крутизна характеристики, S | 83 |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.1 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 21 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.35 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 83 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 96 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0017 Ом |