HEXFET N-Channel MOSFET, 43 A, 30 V PQFN IRFH8303TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030973851
- Артикул
- IRFH8303TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- N Channel
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 388,98 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Семейство мощныx МОП-транзисторов Infineon StrongIRFET оптимизировано для работы с низким RDS (on) и высоким током.
Технические параметры
| Type | N Channel |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN |
| Mounting Type | SMD |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Power Dissipation | 3.7Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 3.7W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 50A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W(Ta), 156W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-PQFN(5x6) |
| Квалификация | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 179 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 43A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drain Source On State Resistance | 900мкОм |
| Maximum Continuous Drain Current | 43 A |
| Линейка Продукции | StrongIRFET, HEXFET |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.2V@150uA |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7736 pF @ 24 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43A(Ta), 100A(Tc) |
| Непрерывный Ток Стока | 43А |
| Рассеиваемая Мощность | 3.7Вт |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.1mΩ@10V, 50A |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@150uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 900мкОм |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 43 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.1mΩ@10V, 50A |