HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 25 A, 30 V, 8-Pin PQFN 5 x 6 IRFH7932TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018739007
- Артикул
- IRFH7932TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFH7932TRPBF от известного производителя INFINEON – это высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD) с корпусом PQFN8. Обеспечивает ток стока в 104 А и имеет максимальное напряжение сток-исток 30 В, что гарантирует отличную производительность в различных электронных устройствах. Мощность данного N-MOSFET транзистора составляет 3,4 Вт, что делает его надежным выбором для управления высокими токами. Для повторного поиска в нашем каталоге используйте уникальный код IRFH7932TRPBF без пробелов и специальных символов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 104 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 3.4 Корпус PQFN8
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN 5x6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 20V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0033 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |