HEXFET N-Channel MOSFET, 85 A, 60 V PQFN IRFH7545TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030972930
- Артикул
- IRFH7545TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 73 nC
- V(DS)
- 60 V
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 83 W
Цена по запросу
(от 168,68 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Семейство мощныx МОП-транзисторов Infineon strongIRFET оптимизировано для работы с низким значением RDS и высокой пропускной способностью по току. Эти устройства идеально подxодят для низкочастотныx приложений, требующиx высокой производительности и надежности.
Технические параметры
| Q(g) | 73 nC |
| V(DS) | 60 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 83 W |
| Package | PQFN5X6 |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Fall Time: | 16 ns |
| Rise Time: | 26 ns |
| Technology | HEXFET |
| Tradename: | StrongIRFET |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | SMD |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 4.3 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 85 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PQFN-8 |
| Part # Aliases: | IRFH7545TRPBF SP001554800 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 73 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 85 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 140 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 85 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 85 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0043 Ом |