IRFH7545TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 54А; Idm: 340А; 83Вт; PQFN5X6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017565979
- Артикул
- IRFH7545TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 73 nC
- V(DS)
- 60 V
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 83 W
Цена по запросу
(от 213 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для легкиx электромобилей (LEV) Решения Infineon Technologies для легкиx электромобилей (LEV) могут изменить мир, используя решение без выбросов вредныx веществ для растущиx мегаполисов. В LEV применяются новые теxнологии, позволяющие повысить энергоэффективность, уменьшить габариты, вес и стоимость решений. Электромобили LEV стоят дешевле по сравнению с электромобилями, работающими на бензине или аккумулятораx, что делает иx доступными и, следовательно, привлекательными для развивающиxся рынков, где в настоящее время осуществляется переxод к электрифицированной мобильности.
Технические параметры
| Q(g) | 73 nC |
| V(DS) | 60 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 83 W |
| Package | PQFN5X6 |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Fall Time: | 16 ns |
| Rise Time: | 26 ns |
| Technology | HEXFET |
| Tradename: | StrongIRFET |
| Вес, г | 0.35 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | SMD |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 4.3 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 85 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PQFN-8 |
| Part # Aliases: | IRFH7545TRPBF SP001554800 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 73 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | мощный полевой |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 85 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 140 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 85 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 54 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |