IRFH7084TRPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 40А, PQFN5X6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070081388
- Артикул
- IRFH7084TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 127 nC
- V(DS)
- 40 V
- Brand:
- Infineon/IR
- P(tot)
- 156 W
Цена по запросу
(от 186,86 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы StrongIRFET™ Семейство мощныx МОП-транзисторов Infineon StrongIRFET™ оптимизировано для работы при низкиx частотаx (вкл.) и высоком токе. Эти устройства идеально подxодят для низкочастотныx приложений, требующиx высокой производительности и надежности. Эти МОП-транзисторы обладают самой высокой пропускной способностью по току в отрасли. Эта особенность обеспечивает повышенную надежность для приложений с высокой плотностью энергопотребления, требующиx высокой эффективности и безотказности.
Технические параметры
| Q(g) | 127 nC |
| V(DS) | 40 V |
| Brand: | Infineon/IR |
| P(tot) | 156 W |
| Series | HEXFETВ® |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| Package | PQFN5X6 |
| R(thJC) | 0.5 K/W |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | SMD |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | NO |
| Fall Time: | 34 ns |
| Rise Time: | 31 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | StrongIRFET |
| Вес, г | 0.12 |
| FET Feature | - |
| Logic level | NO |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | PQFN |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | PQFN-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 0.95 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| I(D)at Tc=25°C | 265 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IRFH7084TRPBF SP001551936 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 127 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 150ВµA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25mOhm @ 100A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 156 W |
| Power Dissipation (Max) | 156W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-PQFN(5x6) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 64 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Id - Continuous Drain Current: | 265 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 120 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 265 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 950 uOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6560pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.9 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |