HEXFET N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V, 8-Pin PQFN 5 x 6 IRFH5210TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010467126
- Артикул
- IRFH5210TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 6mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 5
Цена по запросу
(от 590 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства для поверxностного монтажа и свинцовые корпуса.
Технические параметры
| Width | 6mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN 5x6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Особенности | - |
| Maximum Power Dissipation | 104 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 14.9 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |